通過測(cè)量tanδ,可以反映出絕緣的一系列缺陷,如絕緣受潮,油或浸漬劑臟污或老化變質(zhì),絕緣中有氣隙發(fā)生放電等。這時(shí),流過絕緣的電流中有功電流分量增大了,tanδ也加大。絕緣中存在氣隙這種缺陷,最好通過做tanδ與外加電壓的關(guān)系曲線tanδ~U 來發(fā)現(xiàn)。例如對(duì)于電機(jī)線棒,如果絕緣老化,氣隙較多,則tanδ~U將呈明顯的轉(zhuǎn)折。Uc代表較多氣隙開始放電時(shí)的外加電壓,從tanδ增加的陡度可反映出老化的程度。
tanδ是反映絕緣功率損耗大小的特性參數(shù),與絕緣的體積大小無關(guān)。如果絕緣內(nèi)的缺陷不是分布性而是集中性的,則測(cè)量tanδ有時(shí)反映就不靈敏。被試絕緣的體積越大,或集中性缺陷所占的體積越小,那么集中性缺陷處的介質(zhì)損耗占被試絕緣全部電介質(zhì)中的比重就越小,而Ic一般幾乎是不變的,故可知,總體的tanδ增加得也越少,這樣,測(cè) tanδ法就越不靈敏。對(duì)于像電機(jī)、電纜這類電氣設(shè)備,由于運(yùn)行中故障多數(shù)為集中性缺陷發(fā)展所致,而且被試絕緣的體積較大,tanδ法效果就差,而套管的體積小,tanδ法不僅可以反映套管絕緣的全面情況,而且有時(shí)可以檢查出其中的集中性缺陷。
當(dāng)被試品絕緣由不同的電介質(zhì)組成,例如由兩種不同的絕緣部分并聯(lián)組成時(shí),因被試品總的介質(zhì)損耗為其兩個(gè)組成部分介質(zhì)損耗之和,且被試品所受電壓即為各組成部分所受的電壓,可知C2/Cx越小,則C2中的缺陷(tanδ2增大)在測(cè)整體的tanδ時(shí)越難發(fā)現(xiàn)。故對(duì)于可以分解為各個(gè)絕緣部分的被試品,常用分解進(jìn)行tanδ測(cè)量的方法。例如測(cè)變壓器 tanδ時(shí),對(duì)套管的tanδ單獨(dú)進(jìn)行測(cè)量可以有利于發(fā)現(xiàn)套管的缺陷,否則,由于套管的電容比變壓器繞組的電容小得多,在測(cè)量變壓器繞組連同套管的tanδ時(shí),就不易反映套管內(nèi)的缺陷。
在通過 tanδ值判斷絕緣狀況時(shí),仍然需要著重于與該設(shè)備歷年(相近溫度下)的tanδ值相比較以及和處于同樣運(yùn)行條件下的同類型設(shè)備相比較。即使tanδ值未超過標(biāo)準(zhǔn),但和過去比以及和同樣運(yùn)行條件的其他設(shè)備比,若tanδ突然明顯增大時(shí),就必須認(rèn)真對(duì)待,不然也會(huì)在運(yùn)行中發(fā)生事故。
北京航天偉創(chuàng)設(shè)備科技有限公司生產(chǎn)的LDJD系列介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀,可以測(cè)量固體、液體、粉體的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗正切tanδ值。
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